08/11/2005

Chapitre X fabrication: isolation des transistors

Chapitre X fabrication : isolation des transistors
 

Pour reprendre le fil sur l’épopée de la fabrication du processeur il est préférable de revenir en arrière au chapitre IX en cliquant sur ce lien :

http://histoire-du-micro-processeur.skynetblogs.be/?date=...

 

 

 

Afin d’isoler les transistors des autres transistors contigu, il faut une fois de plus faire croître de l’oxyde de silicium et pour ce faire on va utiliser l’oxyde de silicium restant de la phase de l’excavation. Cette opération va faire bien évidemment augmenter l’épaisseur de la couche d’oxyde de silicium. Pour parfaire le travail une couche d’oxyde de diélectrique d’isolation est ensuite déposée. Cette couche a pour but très précis d’isoler les différentes couches de connections et de préparer par la suite les interconnections de ces couches.

 

Ensuite plusieurs couches d’oxydes de passivations seront déposées en fin de processus de création du wafer dans le seul but de protéger celui-ci lors des manipulations ultérieures. Comme vous pouvez le constater toutes ces phases sont très complexes et on comprend déjà beaucoup mieux la difficulté extrême de la réalisation de composants infiniment minuscule. Il ne faut oublier non plus le prix gigantesque et démesuré pour créer une récente chaîne de fabrication lors d’une nouvelle architecture de processeur, rien que pour une simple machine de dépôt il faut débourser plus de 250 000 euros.

 

Le prochain chapitre XI traitera des INTERCONNECTIONS.


13:09 Écrit par CPU History-fr | Lien permanent | Commentaires (2) |  Facebook |

Commentaires

Rappel... Un rappel succint des précedentes étapes serai ici la bienvenue...

Écrit par : Noterbel | 27/11/2006

Interessant ce que vous avez rédigé! Merci

Écrit par : Dan | 17/12/2014

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