04/10/2005

Chapitre IX fabrication: LE DÉPOT

 

Chapitre IX fabrication : LE DÉPOT

 

Comme rien n’est simple dans l’infiniment petit, l’étape du dépôt a pour fonction, principale de créer les portes des transistors par un apport d’une couche conductrice que l’on va déposer dans les zones excavées d’oxyde silicium (pour mémoire voir le chapitre VII sur l’excavation en cliiquant sur ce lien)

http://histoire-du-micro-processeur.skynetblogs.be/?date=...

Il va falloir impérativement passer par cette phase avant de fabriquer ce que l’on nomme la grille des transistors.

 

 

Avant de déposer cette très fine couche conductrice de polysilicium, on va appliquer dans les cavités excavées une mince couche de nitrure de silicium afin de séparer la couche conductrice de polysilicium de la base du Wafer pour l’isolation. Toute cette phase ce nomme le CVD (Chemical Vapor Déposition) en français (déposition chimique par vaporisation). On entend par la, que le matière sera pulvérisée à l’état gazeux à une température qui frise les 1000°C.

 

La dernière couche extrêmement fine va jouer le rôle de laisser passer le champ magnétique crée par une impulsion sur la porte du transistor. C’est ce champ magnétique provoqué par la variation du courant électrique qui traverse la porte, mais pas le courant en lui-même qui va concevoir le canal conducteur entre l’émetteur et le collecteur créé précédemment, l’étape ionique (pour mémoire voir le chapitre VIII sur la ionisation en cliquant sur ce lien)

http://histoire-du-micro-processeur.skynetblogs.be/?date=...

Pour faire simple c’est ce champ magnétique qui permettra au signal ou impulsion de passer entre les deux bornes. 

 

 

Nos portes de transistors sont maintenant activent. Il faut garder à l’esprit que cette application de couches est capitale pour le processeur, car c’est elle qui va rentrer dans le processus de la chaleur dégager par le processeur. Si la gamme de CPU Intel Pentium 4 Prescott chauffe énormément c’est justement du à cette phase mal dosée par le fondeur. C'est-à-dire que la couche d’isolant utilisé est un peu trop mince et joue moins bien son rôle d’isolation et laisse passer ainsi plus de chaleur que prévu. Suite à ce problème rencontrer Intel a donc décidé de revoir ses plans et d’opter à l’avenir pour un isolant beaucoup plus épais pour ses prochains processeurs qui ne seraient plus gravés en 65 manomètres comme prévu lors de leur dernière RoadMap (en français tableau de prévisions des processeurs sur plusieurs années)  mais en 80 nanomètres.

 

Pour voir une photo grand format d’une machine de dépôt, CLIQUEZ ! sur ce lien :

http://www.engineering.vcu.edu/fac/morkoc/equipment/mocvd...

 

Le chapitre X traitera d’une seconde phase d’OXYDATION qui a pour but d’isoler les transistors et les différentes couches de connections entre eux et encore bien plus.


11:50 Écrit par CPU History-fr | Lien permanent | Commentaires (1) |  Facebook |

Commentaires

Interessant ce que vous avez rédigé! Merci

Écrit par : Dan | 17/12/2014

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